Revisión sobre los últimos avances en drivers de puerta activos para transistores GaN

Abstract

Los objetivos de descarbonización definidos por la Unión Europea y otros organismos internacionales promueven la investigación en tecnologías de movilidad eléctrica. Los transistores HEMT (High Electron Mobility Transistor, en inglés) de GaN son dispositivos de potencia prometedores que pueden mejorar significativamente el desempeño de los vehículos eléctricos, mejorando la densidad de energía y la eficiencia de los convertidores de potencia. Sin embargo, para un aprovechamiento efectivo de sus ventajas, se deben implementar técnicas de dise ño que ayuden a mitigar problemas relacionados con la alta frecuencia de conmutación: dv/dt, di/dt, reboses en tensión de puerta, crosstalk y EMI (ElectroMagnetic Interference, en inglés). Los drivers de puerta convencionales para transistores de Si y SiC no son capaces de explotar todo el potencial de los HEMTs de GaN en el contexto del vehículo eléctrico, por lo que este trabajo se centra en el estado de la tecnología de los drivers activos de puerta (AGD, Active Gate Driving, en inglés), al tratarse de tecnologías muy prometedoras.