Estado del arte de la tecnología planar y trench de IGBTs de silicio

Abstract

La aparición del IGBT supuso el desarrollo del semiconductor de potencia para las aplicaciones de potencia que requieren elevados valores de tensión y corriente junto a elevadas frecuencias de conmutación. Durante los últimos 30 años, con la evolución de la tecnología y los métodos de fabricación, se han ido desarrollando diversas arquitecturas de IGBTs con el objetivo de conseguir dispositivos capaces de soportar mayores potencias y temperaturas, obteniendo al mismo tiempo menores pérdidas de conducción y conmutación. En este artículo se analiza la evolución desde las arquitecturas planares y trench de los IGBTs de silicio hasta la fusión de ambas tecnologías en un mismo dispositivo analizando los rangos de tensión y corriente de cada tecnología, junto a su diseño y las características estáticas, dinámicas y térmicas que los definen.