Tecnología de los semiconductores GaN para aplicaciones de electrónica de potencia

Abstract

Este trabajo aborda la tecnología de semiconductores de nitruro de galio (GaN) en la electrificación de sectores clave como el transporte, debido a sus mejores prestaciones y menor huella de carbono en omparación con el silicio (Si). A pesar de los desafíos tecnológicos que enfrenta, como la obtención de sustratos homogéneos y el desarrollo de dispositivos para alta tensión, su adopción está aumentando en aplicaciones como vehículos eléctricos, centros de datos y electrónica de consumo. En este trabajo se exploran los dispositivos GaN HEMT laterales, tanto D-mode como E-mode, junto a las configuraciones cascodo y direct-drive. Se discuten sus comportamientos estáticos, curvas características y aplicaciones comerciales en el mercado actual. El trabajo proporciona una visión integral de la tecnología GaN sin profundizar en la física del semiconductor para conocer sus ventajas, así como para facilitar el uso de esta tecnología en aplicaciones y sectores industriales donde es fundamental la innovación y eficiencia para conseguir la transición hacia una sociedad electrificada y sostenible.