Elektroi banden topologiaren azterketa LCAO metodoa eta taldeen teoria konbinatuz

Abstract

[EUS] Material baten izaera elektronikoa, energia bandek sasi-momentuari dagokion elkarrekiko espazioan duten egituraren araberakoa da. Banden egitura, partzialki identifikatu daiteke Brillouinen zonaldeko simetria handiko puntuetan agertzen duten simetriaren bitartez. Izan ere, aipatu simetria handiko puntuetan, banda elektronikoak, zein adierazpenen arabera transformatzen diren zehaztu daiteke elementu osatzaileen tokiko-simetrian oinarrituz. Horrez gain, Brillouinen zonaldeko simetria handiko puntuen arteko loturak, zehaztuta daude bateragarritasun erlazioen bitartez. Aitzitik, aipatu puntuetako autoegoera eta autobalioak zehazteko, lotura estuen metodoaz baliatu daiteke, elektroien uhin-funtzioak, isolatutako atomoen uhin-funtzioen gainezarmen gisa kontsideratuz. Oro har, lotura estuen metoda zein materialaren simetrien ondoriozko analisia, Bismuto materialaren banda elektonikoen topologia zehazteko erabili dira.

[ES] El carácter electrónico de un material depende de la estructura de las bandas de energía en el espacio recíproco correspondiente al momento de la maleza. La estructura de las bandas se puede identificar parcialmente mediante la simetría que presentan en los puntos de alta simetría de la zona de Brillouine. De hecho, en los puntos de alta simetría mencionados, se puede determinar por qué expresiones se transforman las bandas electrónicas en base a la simetría local de los elementos constituyentes. Además, las conexiones entre puntos de alta simetría de la zona de Brillouin están definidas mediante relaciones de compatibilidad. Por el contrario, para determinar el autoestado y los autovalores en los puntos citados, se puede utilizar el método de los estrechos enlaces, considerando las funciones de onda de los electrones como un sobreesfuerzo de las funciones de onda de los átomos aislados. En general, tanto el metodo de uniones estrechas como el análisis por simetrías del material se han utilizado para determinar la topología de las bandas electrónicas del material Bismuto.