Fundamentos para la paralelización de IGBTs

Abstract

Las aplicaciones de electrónica de potencia requieren cada vez mayores rangos de tensión y corriente que no pueden ser alcanzados a través de dispositivos discretos. Por este motivo, surge la necesidad de realizar diseños paralelizados. Los IGBTs son unos de los semiconductores de electrónica de potencia mas empleados en el mercado y para realizar la paralelización de estos, ya sea en el formato de dispositivos discretos, dies, celdas individuales o módulos de potencia, es necesario conocer el comportamiento estático y dinámico de los dispositivos. Además, es muy importante estudiar la influencia de los diversos parámetros del semiconductor, el circuito de driver y el layout de potencia, así como las distintas inductancias parásitas que aparecen en el diseño. Todo esto teniendo en cuenta la variación de la temperatura en los parámetros, componentes y circuitos que componen el sistema paralelizado.