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dc.contributor.authorMatallana Fernandez, Asier ORCID
dc.contributor.authorAndreu Larrañaga, Jon ORCID
dc.contributor.authorRobles Pérez, Endika ORCID
dc.contributor.authorAretxabaleta Astoreka, Iker
dc.contributor.authorNavarro Temoche, Adriano ORCID
dc.contributor.authorDe Marcos Arocena, Ander ORCID
dc.date.accessioned2024-07-04T16:15:38Z
dc.date.available2024-07-04T16:15:38Z
dc.date.issued2024-07-04
dc.identifier.citationSAAEI'2024 - Granada 3- 5 de julio 2024es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10810/68765
dc.description.abstractEste trabajo aborda la tecnología de semiconductores de nitruro de galio (GaN) en la electrificación de sectores clave como el transporte, debido a sus mejores prestaciones y menor huella de carbono en omparación con el silicio (Si). A pesar de los desafíos tecnológicos que enfrenta, como la obtención de sustratos homogéneos y el desarrollo de dispositivos para alta tensión, su adopción está aumentando en aplicaciones como vehículos eléctricos, centros de datos y electrónica de consumo. En este trabajo se exploran los dispositivos GaN HEMT laterales, tanto D-mode como E-mode, junto a las configuraciones cascodo y direct-drive. Se discuten sus comportamientos estáticos, curvas características y aplicaciones comerciales en el mercado actual. El trabajo proporciona una visión integral de la tecnología GaN sin profundizar en la física del semiconductor para conocer sus ventajas, así como para facilitar el uso de esta tecnología en aplicaciones y sectores industriales donde es fundamental la innovación y eficiencia para conseguir la transición hacia una sociedad electrificada y sostenible.es_ES
dc.description.sponsorshipEl trabajo descrito en esta publicación ha sido financiado por el Gobierno Vasco en base a las ayudas para apoyar las actividades de grupos de investigación del sistema universitario vasco IT1440-22. Además, esta publicación es parte del proyecto EPOGAN (KK-2023/00091-convocatoria ELKARTEK) financiado por el Gobierno Vasco y del proyecto PID2020-115126RB-I00 financiado por MCIN/AEI/10.13039/501100011033.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/MCIN/PID2020-115126RB-I00es_ES
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.subjectGaNes_ES
dc.subjectHEMTes_ES
dc.subjectdispositivos lateraleses_ES
dc.subjectGaN-on- Sies_ES
dc.subjectGaN-on-GaNes_ES
dc.subjectE-modees_ES
dc.subjectD-modees_ES
dc.subjectcascodoes_ES
dc.subjectdirect-drivees_ES
dc.titleTecnología de los semiconductores GaN para aplicaciones de electrónica de potenciaes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjectes_ES
dc.rights.holder(c) 2024 Los Autoreses_ES
dc.relation.publisherversionhttps://saaei.org/saaei2024/seminario/programaes_ES
dc.departamentoesTecnología electrónicaes_ES
dc.departamentoeuTeknologia elektronikoaes_ES


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